上海華虹宏力半導(dǎo)體系體例造無(wú)限公司（“華虹宏力”）作為全球搶先的200mm純晶圓代工場(chǎng)，在上海具有3條200mm臨盆線，月產(chǎn)能約17萬(wàn)片，工藝節(jié)點(diǎn)籠罩1.0微米至90納米，200mm晶圓制作才能在中國(guó)首屈一指。其前身為久負(fù)盛名的上海華虹NEC和上海宏力半導(dǎo)體，作為“909”工程的載體，華虹宏力的成長(zhǎng)可謂中國(guó)晶圓代工的一面旗號(hào)。近日，華虹宏力履行副總裁范恒師長(zhǎng)教師接收了《中國(guó)電子商情》記者的采訪，他表現(xiàn)，“在嵌入式非易掉性存儲(chǔ)器、電源治理、功率器件、尺度邏輯及射頻（RF）、模仿和混雜旌旗燈號(hào)等范疇，華虹宏力已構(gòu)成頗具競(jìng)爭(zhēng)力的先輩工藝平臺(tái)。如今，除持續(xù)穩(wěn)固上述搶先的特點(diǎn)工藝，我們還有足夠的才能在差別化需求中找到新的高生長(zhǎng)市場(chǎng)，公司在物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、綠色動(dòng)力等運(yùn)用范疇重點(diǎn)突進(jìn)，連續(xù)發(fā)明新的利潤(rùn)增加點(diǎn)。”

  
  據(jù)范恒師長(zhǎng)教師引見(jiàn)，從現(xiàn)有營(yíng)收情形看，以智能卡和微掌握器（MCU）運(yùn)用為主的嵌入式非易掉性存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)的發(fā)賣(mài)額占比跨越公司年?duì)I收的三分之一。為此，華虹宏力在堅(jiān)持智能卡市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，也在積極深刻更多遠(yuǎn)景向好、合適公司將來(lái)成長(zhǎng)的新興市場(chǎng)。如今公司曾經(jīng)積極結(jié)構(gòu)物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)的MCU市場(chǎng)，同時(shí)，功率半導(dǎo)體和高壓器件也是華虹宏力重要的營(yíng)業(yè)增加點(diǎn)。
  
  穩(wěn)定嵌入式存儲(chǔ)器及功率器件技巧優(yōu)勢(shì)
  
  華虹宏力具有業(yè)界搶先的嵌入式非易掉性存儲(chǔ)器技巧，包含SonOS Flash和SuperFlash技巧，和eFlash+高壓和eFlash+射頻兩個(gè)衍生工藝平臺(tái)。還可為客戶供給高機(jī)能、高密度的尺度單位庫(kù)，并可依據(jù)客戶需求定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存（Flash）IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）IP。華虹宏力是世界第一年夜智能卡IC代工場(chǎng)，采取公司eNVM技巧制作的金融IC卡芯片產(chǎn)物分離經(jīng)由過(guò)程了EMVCo、CC EAL5+、萬(wàn)事達(dá)CQM認(rèn)證等多項(xiàng)國(guó)際威望認(rèn)證。跟著90納米eNVM工藝的勝利量產(chǎn)，華虹宏力的智能卡產(chǎn)能正慢慢導(dǎo)入到90納米平臺(tái)。
  
  萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)期，MCU賡續(xù)新陳代謝，為適應(yīng)市場(chǎng)需求，華虹宏力專為物聯(lián)網(wǎng)打造了0.11微米超低漏電（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺(tái)，將eNVM技巧與CMOS射頻集成及/或高壓技巧聯(lián)合。呼應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高性價(jià)比的召喚，華虹宏力還推出了95納米單絕緣柵非易掉性嵌入式存儲(chǔ)器，包含eFlash、eEEPROM、OTP工藝平臺(tái)，助力客戶在宏大的MCU運(yùn)用市場(chǎng)進(jìn)步競(jìng)爭(zhēng)力。另外，公司還在加快研發(fā)95納米的低本高效MTP（Multiple-Time Programming）工藝平臺(tái)。
  
  在臨盆功率器件方面，華虹宏力具有15年的汗青，是業(yè)內(nèi)首個(gè)具有深溝槽超等結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場(chǎng)截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺(tái)的200mm晶圓代工場(chǎng)。高效能的功率半導(dǎo)體器件是下降功耗的癥結(jié)，已惹起了半導(dǎo)體家當(dāng)?shù)淖⒁暎A虹宏力的結(jié)構(gòu)弗成謂不充足。“我們努力于為客戶供給更高真?zhèn)€功率器件技巧處理計(jì)劃，公司現(xiàn)已推出第三代DT-SJ工藝平臺(tái)，每單位區(qū)域?qū)娮瑁≧sp）為1.2ohm.mm2，技巧參數(shù)達(dá)業(yè)界一流程度。”范恒師長(zhǎng)教師說(shuō)，“華虹宏力照樣國(guó)際獨(dú)一具有IGBT全套后頭加工工藝的晶圓代工場(chǎng)，能為綠色動(dòng)力運(yùn)用供給從低功率到高功率的全系列處理計(jì)劃。”今朝，華虹宏力的功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已沖破500萬(wàn)片晶圓。
  
  深度拓展射頻和電源治理IC市場(chǎng)
  
  RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技巧的RF版本，該工藝應(yīng)用了內(nèi)置隔離襯底的高電阻率特征。RF SOI在運(yùn)用上有幾個(gè)比擬顯著的優(yōu)勢(shì)，一是它的設(shè)計(jì)周期短，且簡(jiǎn)略易用。最重要的是它能做到較低功耗。如今，智妙手機(jī)、WiFi等無(wú)線通訊裝備中的射頻器件絕年夜多半都應(yīng)用了RF SOI制作工藝。華虹宏力推出的0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），異常利于工程師進(jìn)步設(shè)計(jì)流程效力，從而疾速取得優(yōu)良的射頻組件，延長(zhǎng)了產(chǎn)物上市時(shí)光。范恒師長(zhǎng)教師表現(xiàn)：“接上去公司還將持續(xù)開(kāi)辟射頻相干技巧，如0.13微米射頻SOI，以應(yīng)對(duì)智妙手機(jī)出貨量的連續(xù)增加及將來(lái)5G挪動(dòng)通訊的成長(zhǎng)及運(yùn)用。”
  
  華虹宏力已引入周全電源治理IC處理計(jì)劃，可供給久經(jīng)歷證的CMOS模仿和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺(tái)。其技巧涵蓋1微米到0.13微米，電壓規(guī)模籠罩1.8V~700V，機(jī)能卓著、質(zhì)量靠得住，普遍用于PMIC、疾速充電、手機(jī)/平板電腦PMU和智能電表等范疇。華虹宏力照樣國(guó)際出貨量最年夜的LED驅(qū)動(dòng)IC代工場(chǎng)。今朝，第二代BCD700V工藝平臺(tái)也正處于計(jì)謀預(yù)備階段，將在本來(lái)基本上削減2層光罩 ，并優(yōu)化DMOS機(jī)能，信任會(huì)更好地辦事客戶與電源治理IC市場(chǎng)。
  
  華虹宏力是一個(gè)技巧沉淀深摯又有弘遠(yuǎn)理想的企業(yè)，不只在現(xiàn)有的優(yōu)勢(shì)范疇步步為營(yíng)，還將眼力投射到更久遠(yuǎn)的將來(lái)。憑仗多年的技巧積聚，他們?cè)?jīng)在競(jìng)爭(zhēng)劇烈的市場(chǎng)中靈敏地找尋到更合適本身的技巧特色、更具遠(yuǎn)景的成長(zhǎng)偏向。最主要的是，他們已將這一切付諸實(shí)行。