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三星推12奈米級(jí)制程DDR5 DRAM

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-09-05   瀏覽次數(shù):17485
核心提示:三星電子1日宣布,成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款採(cǎi)用12奈米制程技術(shù)打造的16GB DDR5 DRAM,并攜手超微(AMD)完成產(chǎn)品的相容性評(píng)估。三星電子

三星電子1日宣布,成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款採(cǎi)用12奈米制程技術(shù)打造的16GB DDR5 DRAM,并攜手超微(AMD)完成產(chǎn)品的相容性評(píng)估。


三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示,三星12奈米級(jí)DRAM將成為提升DDR5 DRAM市場(chǎng)普及率的關(guān)鍵動(dòng)力。新款DRAM具備卓越的性能與能效,可望為新世代運(yùn)算、數(shù)據(jù)中心、AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域的永續(xù)營(yíng)運(yùn)奠定基石。


AMD資深副總裁兼任企業(yè)研究員暨客戶、運(yùn)算與繪圖技術(shù)長(zhǎng)Joe Macri表示,創(chuàng)新有賴于同業(yè)伙伴的密切合作,攜手推動(dòng)技術(shù)發(fā)展,該公司很高興與三星再次合作,尤其是推出在「Zen」平臺(tái)上經(jīng)過(guò)優(yōu)化與驗(yàn)證的DDR5記憶體產(chǎn)品。此項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展的成功關(guān)鍵,在于採(cǎi)用可提升電池電容量的新型高介電(high-k)材料,以及可改善關(guān)鍵電路特性的專有設(shè)計(jì)技術(shù)。新款DRAM整合先進(jìn)、多層極紫外光(EUV)微影制程,并具備業(yè)界最高的裸晶密度,可使晶圓生產(chǎn)率提升20%。


在採(cǎi)用最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)下,三星12奈米級(jí)DRAM可提供高達(dá)7.2 Gbps的傳輸速度。經(jīng)換算,相當(dāng)于能在1秒內(nèi)處理兩部30 GB檔案大小的UHD電影。


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